19 октября, 2016 
adminGWP 
Samsung сeгoдня oбъявилa o нaчaлe мaссoвoгo прoизвoдствa систeм «нa кристaллe» для 10-нанометровой технологии finfet. Утверждается, что это первый продукт в индустрии.
Следует отметить, что процесс производства предполагает использование транзисторов, расширенный в 3D структуры. Переход с 14-нм нормами 10 нанометров позволило на 40 процентов снизить потребление энергии.
В сравнении с 14-нанометровой методики может увеличить производство микросхем на 30% вафли кремния.
Кроме того, внедрение 10-нанометровой технологии позволит увеличить производительность процессоров. В частности, государства-члены имеют возможность увеличения производительности труда на 27 процентов по сравнению с 14-нм решений.
Ранее сообщалось, что Samsung может выпускать 10-нанометровой технологии процессоров Snapdragon от Qualcomm 830 развития. Этот чип наделен Kryo 200 ядра и мощный графический контроллер Адрено 540. Встроенный модем х16 LTE обеспечит максимальную скорость 980 Мбит / с при загрузке данных. Относится к поддержке LPDDR4X памяти.
Samsung отмечает, что первые мобильные устройства на базе процессоров, производимых по 10-нанометровой технологии finfet, будут на рынке в начале следующего года. Ожидается, что продукты с Snapdragon 830 станет «сердцем» флагманских смартфонов Samsung следующего поколения.
Похоже, что в будущем, новые методы производства используются и с выпуском собственных мобильных процессоров семейства Samsung Exynos от чипсов.
Опубликовано в рубрике